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NTLJD3181PZTBG Spécifications techniques

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 710mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 10V
Rise Time 9ns
Fall Time (Typ) 9 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.2A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 1.5W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.1Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
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