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NTLJF3117PT1G Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 6 |
Power Dissipation-Max | 710mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5.2 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A Ta |
Rise Time | 15ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 15 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -3.3A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 2.3A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20A |
Height | 750μm |
Width | 2mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | µCool™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | C BEND |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.5W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 2A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 531pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 19.8 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Length | 2mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NTLJF3117PT1G Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour NTLJF3117PT1G
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTLJF3117PRT1G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 600 |
NTLJF3117PT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3239 |
NTLJF3117PTAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2505 |
NTLJF3117PTAG | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NTLJF3118NTAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2575 |
NTLJF3118NTAG | Rochester Electronics, LLC | Transistors MOSFET simples | |
NTLJF3118NTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2538 |
NTLJF4156NT | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2724 |
NTLJF4156NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1042 |
NTLJF4156NT1G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples |
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