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NTLJS2103PTAG Spécifications techniques

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.9W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40m Ω @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1157pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.2V 4.5V
Fall Time (Typ) 27 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.7A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.9A
Drain to Source Breakdown Voltage 12V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 700mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A Ta
Rise Time 27ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 74 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.04Ohm
RoHS Status RoHS Compliant
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