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NTLLD4901NFTWG Spécifications techniques

ON SEMICONDUCTOR NTLLD4901NFTWG Dual MOSFET, Dual N Channel, 9.6 A, 30 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.2 V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 17.4MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Pin Count 8
Power Dissipation 3.23W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A 6.3A
Continuous Drain Current (ID) 6.3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-PowerWDFN
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 810mW
Element Configuration Dual
Power - Max 800mW 810mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.4m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 605pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Threshold Voltage 1.2V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9.6A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
NTLLD4901NF ON Circuits intégrés spécialisés 842
NTLLD4901NFTWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 3411
NTLLD4951NFTWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux 2541
NTLLD4951NFTWG ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays

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