NTLUS3A39PZTBG Spécifications techniques

MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Pin Count 6
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 7.2 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39m Ω @ 4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 34.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case 6-PowerUFDFN
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Series µCool™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 600mW Ta
Power Dissipation 1.5W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A Ta
Rise Time 12.2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 34.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.2A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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