NTLUS3A40PZTAG Spécifications techniques

IGBT Transistors T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series µCool™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.7W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29m Ω @ 6.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 126 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.029Ohm
Height 500μm
Width 2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 700mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Ta
Rise Time 18ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 71 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
Length 2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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