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NTMD6P02R2G Spécifications techniques
NTMD6P02R2G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 29 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -6A |
Base Part Number | NTMD6P02 |
Number of Outputs | 1 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33m Ω @ 6.2A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Turn-Off Delay Time | 85 ns |
Threshold Voltage | -880mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 33mOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 750mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 8 |
Max Output Current | 6A |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 2W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
Rise Time | 20ns |
Fall Time (Typ) | 50 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 7.8A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 450 pF |
Length | 5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTMD6P02R2G Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTMD6601NR2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 3104 |
NTMD6601NR2G | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTMD6601NR2G | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTMD6M02R2 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2508 |
NTMD6N02 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2532 |
NTMD6N02DR2G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 43921 |
NTMD6N02R2 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2615 |
NTMD6N02R2 | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTMD6N02R2 | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistors Arrays | |
NTMD6N02R2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 7223 |
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