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NTMFD4902NFT1G Spécifications techniques

MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 8-PowerTDFN
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.16W
Pin Count 8
Element Configuration Dual
Case Connection DRAIN SOURCE
FET Type 2 N-Channel (Dual), Schottky
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 13.3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 13.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form FLAT
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 1.1W 1.16W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A 13.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.01Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
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