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NTMFS4825NFET1G
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NTMFS4825NFET1G Spécifications techniques
MOSFET NFETFL 30V 171A 2mOHM
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.74W |
Turn On Delay Time | 26 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Ta 171A Tc |
Rise Time | 24ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 36 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.002Ohm |
Height | 1.1mm |
Width | 6.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 5 |
Power Dissipation-Max | 950mW Ta 96.2W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2m Ω @ 22A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5660pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40.2nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 171A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Length | 5.1mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NTMFS4825NFET1G Documents
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Feuilles de données
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