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NTMFS4935NCT3G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 8SOFL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Number of Pins 5
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A Ta 93A Tc
Rise Time 20ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 93A
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Power Dissipation-Max 930mW Ta 48W Tc
Turn On Delay Time 16.3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4850pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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