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NTMFS5834NLT1G
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NTMFS5834NLT1G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 5 |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 107W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A Ta 75A Tc |
Rise Time | 56.4ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 6.6 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 14A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 276A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 48 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3W |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3m Ω @ 20A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1231pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 17.4 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
DS Breakdown Voltage-Min | 40V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NTMFS5834NLT1G Documents
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Feuilles de données
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