NTMFS5H409NLT1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 41A DFN5

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category NTMFS5H409NLT1G
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A Ta 270A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 2V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 900A
Avalanche Energy Rating (Eas) 304 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.2W Ta 140W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 270A
Drain-source On Resistance-Max 0.0016Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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