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NTMS5P02R2G Spécifications techniques
NTMS5P02R2G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 38 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 26MOhm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33m Ω @ 5.4A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±10V |
Turn-Off Delay Time | 70 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 10V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Height | 1.5mm |
Width | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | -5.4A |
Pin Count | 8 |
Power Dissipation-Max | 790mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 22 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.95A Ta |
Rise Time | 25ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 55 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 5.4A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3.95A |
Nominal Vgs | -900 mV |
Length | 5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTMS5P02R2G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NTMS5835NL | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 50311 |
NTMS5835NLR2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3320 |
NTMS5835NLR2G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NTMS5838NLR2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 40185 |
NTMS5838NLR2G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NTMS5P02 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2532 |
NTMS5P02R2 | ON | Circuits intégrés spécialisés | 3579 |
NTMS5P02R2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 51392 |
NTMS5P02R2G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2918 |
NTMS5P02R2G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 689 |
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