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NTP5404NRG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 136A TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 167W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 32V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 85 ns
Continuous Drain Current (ID) 136A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 5.4W Ta 254W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Ta 167A Tc
Rise Time 65ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 85 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0045Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 258A
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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