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NTP90N02G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 24V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 85W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Ta
Rise Time 90ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 28 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0058Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 90A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 85W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8m Ω @ 90A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 24V
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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