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NTQD6968R2 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8TSSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Voltage - Rated DC | 20V |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 6.6A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 16V |
Continuous Drain Current (ID) | 6.6A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.022Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 150 mJ |
FET Feature | Logic Level Gate |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Max Power Dissipation | 940mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 6.6A |
Pin Count | 8 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 1.42W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5.4A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 20A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
NTQD6968R2 Documents
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Feuilles de données
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