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NTR2101PT1G Spécifications techniques

NTR2101PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -3.7A
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 960mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 15.75 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Height 1.01mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 39MOhm
Voltage - Rated DC -8V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 960mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52m Ω @ 3.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1173pF @ 4V
Rise Time 15.75ns
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Threshold Voltage -1V
Drain to Source Breakdown Voltage -8V
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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