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NTR4503NT1G Spécifications techniques

NTR4503NT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 85MOhm
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Current Rating 2.5A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 730mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 1.75 V
Height 1.01mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 420mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Ta
Rise Time 6.7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13.6 ns
Threshold Voltage 1.75V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Feedback Cap-Max (Crss) 25 pF
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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