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NTTFS4941NTWG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Power Dissipation-Max 840mW Ta 25.5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.3A Ta 46A Tc
Rise Time 21ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 46A
Drain-source On Resistance-Max 0.009Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case 8-PowerWDFN
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 8
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1619pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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