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NTTFS4985NFTWG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 64A U8FL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case 8-PowerWDFN
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2075pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0052Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.47W Ta 22.73W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.3A Ta 64A Tc
Rise Time 24ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 64A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 16.3A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 192A
Avalanche Energy Rating (Eas) 52 mJ
Lead Free Lead Free
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