NTTFS5820NLTAG Spécifications techniques

MOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 8-PowerWDFN
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 8
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 33W
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5m Ω @ 8.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1462pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 37A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 800μm
Width 3.15mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Resistance 11.5MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Power Dissipation-Max 2.7W Ta 33W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Ta 37A Tc
Rise Time 28ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 19 ns
Threshold Voltage 1.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Length 3.15mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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