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NTTFS5826NLTWG
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NTTFS5826NLTWG Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2011 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
JESD-30 Code | S-PDSO-F5 |
Power Dissipation-Max | 3.1W Ta 19W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Ta |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 20 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 19W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 7.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.032Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 133A |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NTTFS5826NLTWG Documents
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