NTTFS6H850NTAG Spécifications techniques

In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN ON Semiconductor NTTFS6H850NTAG

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 70μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Ta 68A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Vgs (Max) ±20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case 8-PowerWDFN
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 3.2W Ta 107W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
RoHS Status RoHS Compliant
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