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NTTFS6H850NTAG
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NTTFS6H850NTAG Spécifications techniques
In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN ON Semiconductor NTTFS6H850NTAG
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 70μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A Ta 68A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Vgs (Max) | ±20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 3.2W Ta 107W Tc |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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