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NTUD3169CZT5G Spécifications techniques

NTUD3169CZT5G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case SOT-963
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 710mW
Base Part Number NTUD3169CZ
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 26 ns
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ω @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12.5pF @ 15V
Rise Time 46ns
Fall Time (Typ) 145 ns
Continuous Drain Current (ID) 280mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 400μm
Width 850μm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
Pin Count 6
Element Configuration Dual
Power Dissipation 200mW
Power - Max 125mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA 200mA
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 196 ns
Threshold Voltage 1V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
FET Feature Logic Level Gate
Length 1.05mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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