NTZD3155CT5G Spécifications techniques

MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form FLAT
Current Rating 540mA
Base Part Number NTZD3155C
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 250mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 540mA 430mA
Rise Time 12ns
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 540mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.54A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Resistance 550MOhm
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550m Ω @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 6V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Lead Free
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