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NVB25P06T4G Spécifications techniques

MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±15V
Fall Time (Typ) 190 ns
Continuous Drain Current (ID) 27.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.082Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 120W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27.5A Ta
Rise Time 72ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 15V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80A
Avalanche Energy Rating (Eas) 600 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
NVB25P06T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 5020

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