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NVB60N06T4G Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.4W Ta 150W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 25.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A Ta
Rise Time 180.7ns
Fall Time (Typ) 142.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 60A
Drain-source On Resistance-Max 0.014Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 175°C
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Turn-Off Delay Time 94.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180A
Avalanche Energy Rating (Eas) 454 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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NVB60N06T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2556

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