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NVD3055-094T4G Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin DPAK T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94m Ω @ 6A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta
Rise Time 32.3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.5W Ta 48W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Drain-source On Resistance-Max 0.094Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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