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NVD5863NLT4G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 27 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.1W |
Turn On Delay Time | 12.8 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1m Ω @ 41A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 37.6 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 320 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 hours ago) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2011 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.1W Ta 96W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A Ta 82A Tc |
Rise Time | 24.4ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 55 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 82A |
DS Breakdown Voltage-Min | 60V |
Height | 2.38mm |
Width | 6.22mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NVD5863NLT4G Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
NVD5802NT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 42776 |
NVD5802NT4G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 498 |
NVD5802NT4G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NVD5802NT4G-TB01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2645 |
NVD5802NT4G-VF01 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2660 |
NVD5803N | ON | Circuits intégrés spécialisés | 37443 |
NVD5803NT4G | ON | Circuits intégrés spécialisés | 2987 |
NVD5803NT4G | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NVD5803NT4G MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 12991 |
NVD5805NT4G | VB | Circuits intégrés spécialisés | 79923 |
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