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NVD5890NLT4G Spécifications techniques

MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 4W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Ta 123A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 123A
Drain-source On Resistance-Max 0.0055Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 4W Ta 107W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Height 2.38mm
Width 6.22mm
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