NVD5C478NT4G Spécifications techniques

T6 40V DPAK EXPANSION AND

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 43A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 210A
Avalanche Energy Rating (Eas) 97 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3W Ta 30W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta 43A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0084Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
RoHS Status RoHS Compliant
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