NVF3055-100T1G Spécifications techniques

MOSFET NFET 60V 3A 0.100R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 4
Power Dissipation-Max 1.3W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Height 1.65mm
Width 3.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1999
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.1W
Turn On Delay Time 9.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Length 6.7mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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