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NVGS3130NT1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Power Dissipation-Max 600mW Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 5.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 935pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Continuous Drain Current (ID) 4.2A
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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