NVMFS4C03NT1G Spécifications techniques

MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3071pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 143A
Drain-source On Resistance-Max 0.0024Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 900A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 3.71W Ta 77W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31.4A Ta 143A Tc
Rise Time 32ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 549 mJ
Lead Free Lead Free
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