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NVMFS4C302NWFT1G
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NVMFS4C302NWFT1G Spécifications techniques
NFET SO8FL 30V 1.15MO
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A Ta 241A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0017Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.75W Ta 115W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5780pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 43A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 900A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 186 mJ |
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