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NVMFS5826NLT1G
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NVMFS5826NLT1G Spécifications techniques
Power MOSFET 60V, 26A, 24 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 38 Weeks |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Max Power Dissipation | 3.6W |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 5 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
Halogen Free | Halogen Free |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Fall Time (Typ) | 24 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 26A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 130A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 20 mJ |
Rds On Max | 24 mΩ |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Number of Pins | 5 |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 175°C |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Rise Time | 32ns |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.032Ohm |
Input Capacitance | 850pF |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NVMFS5826NLT1G Documents
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