NVMFS5826NLT3G Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SO-FL T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 38 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 5
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 39W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.032Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 20 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN
Number of Pins 5
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.6W
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 10A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Ta
Rise Time 32ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 24 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 26A
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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