NVMFS5834NLWFT3G Spécifications techniques

Power MOSFET 40V, 75A, 9.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 38 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 107W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta 75A Tc
Rise Time 56.4ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 75A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 276A
Avalanche Energy Rating (Eas) 48 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN
Number of Pins 5
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 5
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1231pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 17.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
DS Breakdown Voltage-Min 40V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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