NVMFS5C670NLWFT1G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 38 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Discontinued
Number of Terminations 5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 61W Tc
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 71A
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 15 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Ta 71A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 440A
Avalanche Energy Rating (Eas) 166 mJ
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