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NVMFS5C682NLWFAFT3G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 8.8A 25A 5DFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Channels 1
Power Dissipation 3.5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 16μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A Ta 25A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 3.5W Ta 28W Tc
Turn On Delay Time 4 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 8.8A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 1.1mm
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