NVR5198NLT3G Spécifications techniques

MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 1.437803g
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 900mW Ta
Turn On Delay Time 5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155m Ω @ 1A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Ta
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 182pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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