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NVTFS4C13NTWG Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 40A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3W Ta 26W Tc
Power Dissipation 26W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 14A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0094Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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