NVTFS5124PLWFTWG Spécifications techniques

MOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-PowerWDFN
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Pin Count 8
Power Dissipation-Max 3W Ta 18W Tc
Turn On Delay Time 7 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260m Ω @ 3A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A Ta
Rise Time 14ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.4A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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