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P2N2222AG Spécifications techniques

P2N2222AG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 14 hours ago)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1996
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 625mW
Frequency 300MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 300MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Manufacturer Package Identifier CASE 29 -11
Packaging Bulk
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Voltage - Rated DC 40V
Current Rating 600mA
Base Part Number P2N2222
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Base Voltage (VCBO) 75V
hFE Min 35
Length 5.2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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