PN3646 Spécifications techniques

PN3646 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package TO-92-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 15V
Current Rating 30mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 350mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 30mA 400mV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 3mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 30
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Weight 201mg
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 350mW
Base Part Number PN3646
Polarity NPN
Power Dissipation 350mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 300mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 15V
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status RoHS Compliant
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