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QRD1114 Spécifications techniques

QRD1114 Series 30 V 50 mA Phototransistor Reflective Object Sensor

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Capteurs / Capteurs optiques analogiques
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Operating Temperature -40°C~85°C
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Position, Linear, Photoelectric Sensors
Output Voltage 30V
Operating Supply Voltage 1.7V
Termination Type SOLDER
Forward Current 50mA
Output Current-Max 5mA
Forward Voltage 1.7V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
Sensing Distance 0.050 (1.27mm)
Reverse Breakdown Voltage 5V
Sensing Method Reflective
Input Current 20mA
Reverse Voltage (DC) 5V
Length 6.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago)
Mount Through Hole
Package / Case Radial - 4 Leads
Weight 0g
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 100mW
Output Type Phototransistor
Number of Channels 1
Power Dissipation 100mW
Response Time 10μs, 50μs
Rise Time 10μs
Fall Time (Typ) 50 μs
Max Collector Current 1mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Wavelength 940 nm
Sensors/Transducers Type LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE
Housing PLASTIC
Height 4.65mm
Width 4.39mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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