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QSD123A4R0 Spécifications techniques

Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Capteurs / Phototransistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Weight 284mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 100°C
Subcategory Photo Transistors
Orientation Top View
Number of Elements 1
Configuration SINGLE
Viewing Angle 24°
Size 5mm
Fall Time (Typ) 7 μs
Max Collector Current 16mA
Wavelength 880nm
Max Breakdown Voltage 30V
Infrared Range YES
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 2
Shape ROUND
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -40°C
Max Power Dissipation 100mW
Number of Functions 1
Polarity NPN
Power Dissipation 100mW
Optoelectronic Device Type PHOTO TRANSISTOR
Rise Time 7μs
Collector Emitter Voltage (VCEO) 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Dark Current 100nA
Light Current-Nom 4mA
Lead Free Lead Free
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