QTLP610CPDTR Spécifications techniques

Phototransistor IR Chip Silicon 860nm 2-Pin SMD T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Capteurs / Phototransistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 2-SMD, No Lead
Weight 135mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Photo Transistors
Orientation Side View
Number of Channels 1
Viewing Angle 160°
Rise Time 15μs
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Wavelength 860nm
Max Breakdown Voltage 30V
Height 1.1mm
Width 2.2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 2
Operating Temperature -25°C~85°C TA
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 75mW
Polarity NPN
Power Dissipation 75mW
Lens Style Domed
Fall Time (Typ) 15 μs
Max Collector Current 500μA
Lens Color Clear
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Dark Current 100nA
Length 3.2mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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