RGP10J Spécifications techniques

RGP10J datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Redresseur à Diode Monophasé
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case DO-204AL, DO-41, Axial
Weight 245mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -65°C
HTS Code 8541.10.00.80
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Form WIRE
Base Part Number RGP10J
Element Configuration Single
Diode Type Standard
Power Dissipation 3W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A
Forward Current 1A
Max Surge Current 30A
Max Reverse Voltage (DC) 600V
Reverse Recovery Time 250 ns
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 600V
Peak Non-Repetitive Surge Current 30A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 30A
Natural Thermal Resistance 50 °C/W
Height 5.2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 2
Diode Element Material SILICON
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 175°C
Additional Feature METALLURGICALLY BONDED
Capacitance 15pF
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 1A
Number of Elements 1
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 600V
Output Current 1A
Case Connection ISOLATED
Operating Temperature - Junction -65°C~175°C
Forward Voltage 1.3V
Average Rectified Current 1A
Peak Reverse Current 5μA
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V 1MHz
Reverse Voltage 600V
Recovery Time 250 ns
Diameter 2.72mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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