SGL50N60RUFDTU Spécifications techniques

SGL50N60RUFDTU datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 250W
Number of Elements 1
Power Dissipation 250W
Turn On Delay Time 26 ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 100ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.2V
Test Condition 300V, 50A, 5.9 Ω, 15V
Continuous Collector Current 80A
Gate Charge 145nC
Td (on/off) @ 25°C 26ns/66ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 160ns
Length 20mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Weight 6.756g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 40A
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application MOTOR CONTROL
Turn-Off Delay Time 66 ns
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 119 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 50A
Turn Off Time-Nom (toff) 329 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 1.68mJ (on), 1.03mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 8V
Height 26mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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